富士通ゼネラルは６月１５日、富士通ゼネラルエレクトロニクス（以下「ＦＧＥＬ」）が、「小型ＧａＮモジュール」を開発したと発表した。

ＦＧＥＬは、２０２５年頃と予測される次世代デバイス（ＧａＮ、ＳｉＣ）へのシフトによるパワー半導体市場の成長を見据え、ＧａＮデバイス開発のリーディングカンパニーである米国Ｔｒａｎｓｐｈｏｒｍ社とともに、パワーエレクトロニクス製品の大幅な小型化や高効率化が実現可能なＧａＮモジュールの開発を２０１８年から進めている。

今回開発した「小型ＧａＮモジュール」は、Ｔｒａｎｓｐｈｏｒｍ社製の高耐圧ＧａＮ－ＦＥＴチップをドライブ回路とともに内蔵。また、高速駆動、電力損失（導通損失・スイッチング損失）の大幅低減を実現している。

今秋よりサンプル出荷を開始し、パワーモジュールを電源関連や産業機器へと順次製品展開していく。また、将来的には車載分野での採用も視野に開発の強化および量産体制の構築を進め、電子デバイス事業の新たな柱として成長させていくとしている。

【ＧａＮデバイスとは】
ＧａＮ（窒化ガリウム）はＳｉＣ（炭化ケイ素）と並び、現在主流のＳｉ（シリコン）に代わる次世代半導体材料として注目され、実用化が進んでいる。ＧａＮはスイッチング性能に優れ、スイッチング周波数の高速性や電力損失を大幅に低減する高効率性を最大の特長としている。電源回路やモーター駆動回路、その他のパワーコンバーターやインバーターシステムの小型化や高効率化を容易に実現できるほか、ＳｉＣよりも低コストなデバイスとしても注目を集めている。