シリコンカーバイト（ＳｉＣ）パワー半導体大手メーカーの ＵｎｉｔｅｄＳｉＣ（ユナイテッド ＳｉＣ、本社: 米ニュージャージー州プリンストン、以下: ＵｎｉｔｅｄＳｉＣ）は、１２月２日、自社の高度な第 ４ 世代（Ｇｅｎ ４） ＳｉＣ ＦＥＴ 技術を基盤にした、４ 種類の新製品を発表した。
これらの Ｇｅｎ ４ デバイスは業界で唯一の ７５０Ｖ ＳｉＣ ＦＥＴ であり、傑出した性能指数（ＦｏＭ）を誇るとしている。自動車、産業機器用充電器、テレコム整流器、データセンターＰＦＣ、ＤＣ-ＤＣ コンバータなどの電力用途に加え、再生可能エネルギーやエネルギー貯蔵などの分野でも、大きな力を発揮することが期待されるとしている。
今回発表された ＳｉＣ ＦＥＴ には、１８ mΩと ６０ mΩの ２ つのモデルがあり、比類ない ＦｏＭ と、単位面積当たりのオン抵抗と内在静電容量の低さが特長。Ｇｅｎ ４ ＦＥＴ は、ハードスイッチング用途で最小の ＲＤＳ（on） ｘＥＯＳＳ(mΩ-μJ)値を示し、オン/オフ切り替え時の損失が低減している。また ＲＤＳ(on) x Ｃｏｓｓ(tr)(mΩ-nF)仕様の値が低いことで、ソフトスイッチング用途では導電損失の低減と高周波数化が実現。今回発表した新製品は、競合する既存の ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 製品の性能を常温（２５℃）と高温（１２５℃）のいずれでも上回り、さらに内蔵ダイオードの ＶＦ は低く、優れた逆回復性能を備えているため、デッドタイム損失が低減し、効率が向上している。
ＵｎｉｔｅｄＳｉＣ の ７５０Ｖ 製品ファミリに追加された新デバイスは、設計上の制約が少ないため、柔軟な導入が可能。ＶＤＳ 定格が向上した ＦＥＴ として、４００/５００Ｖ のバス電圧用途に有効。ゲート耐圧+/-２０Ｖ、互換性に優れた ５Ｖ スレッショルドのゲート駆動性能により、どのデバイスも ０～+１２Ｖ のゲート電圧で駆動可能。そのため、既存の ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ、Ｓｉ ＩＧＢＴ、Ｓｉ ＭＯＳＦＥＴ ゲートドライバーとの併用が可能になっている。
ＵｎｉｔｅｄＳｉＣ でエンジニアリング担当バイスプレジデントを務める Ａｎｕｐ Ｂｈａｌｌａ は、次のように述べている。「これらのデバイスは、高い電圧と電力性能により、ＤＣ-ＤＣ 変換、オンボード充電、力率補正、ソーラーインバーターなど、さまざまな領域にわたってエンジニアのニーズに応えます。当社は今後 ９ ヵ月をかけて、コストパフォーマンス、熱効率、設計上の柔軟性を向上させた、さまざまな Ｇｅｎ ４ デバイスを発表する予定です。あらゆる分野で、大量導入に伴う課題を解決し、イノベーションの加速に貢献します」
■ＵｎｉｔｅｄＳｉＣ