レーシングカーは、大きな衝撃、振動、極端な温度に耐える技術を必要とするため、半導体デバイスの効率性が高いほど、無駄な熱に浪費される電力が少なくなり、燃費が向上し、エネルギー1ワットあたりの走行距離が伸びる。

同時に、技術者は重量とスペースを節約するために、車載部品の小型化も目指すことになる。

オン・セミコンダクターのパワー製品およびソリューションには、IGBT、高電圧ゲートドライバ、スーパージャンクション整流器、高電圧MOSFET、高電圧DC-DCに加え、次世代の電気自動車で使用できるシリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）および窒化ガリウム（ガリウムナイトライド、GaN）といったワイドバンドギャップ（wide band gap、WBG）の開発等もある。

そして、これらの技術がEVにおける充電1回あたりの走行距離を伸ばし、バッテリーの充電時間を短縮、熱管理を改善する等の効果を生む。

そういった意味で、メルセデスのレーシングチームとのコラボレーションが、今後同社のEV向け半導体デバイス等の進化にどう影響してくるのか興味深い。

ちなみに、ドイツ・ミュンヘンで開催される今年のElectronica 2018（11月13日〜11月16日・独ミュンヘン）において、オン・セミコンダクターのブース（ホールC4、ブース101）にて、メルセデスEQフォーミュラEチームのコンセプトカーが展示される予定だ。